Aufsatz 
Über den Einfluss der Temperatur auf die galvanischen Elemente / von August Schmidt
Entstehung
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Nach dieser Methode wurde die

a.) Lrste Versuchsreihe durchgeführt, welche sich, wie in dem Beispiele, auf den Widerstand der Thonzelle in einer konzentrierten Cu SO4-Lösung erstreckte. Um die letztere konzentriert zu erhalten, wurde der Boden des Gefäfses F circa 4 cm hoch mit Kristallen von chemisch reinem Cu 80 pbedeckt und nôtigen Falles wurden neue Kristalle zugesetzt. Als Stromquelle diente, wie oben, eine Batterie von 3 Bunsenelementen in Folgeschaltung. In der folgenden Tabelle sind die Resultate zusammengestellt, welche sich für Temperaturveränderungen zwischen 16 und 85° ergaben; sie ist nach dem vorangegangenen ohne weiteres verständlich. Bemerkt sei nur, dals in der ersten mitTemperatur überschriebenen Doppelkolonne in der vorderen Reihe die Temperaturen der Lösung zwischen a und b vor, in der hinteren Reihe diejenigen der Lösung nach dem Stromschlusse stehen. In der zweiten mitTemperatur überschriebenen Doppelkolonne stehen in der vorderen Reihe die Temperaturen der Lösung zwischen e und b und zwischen e und a vor dem Stromschlusse, in der hinteren Reihe die entsprechenden Tempe- raturen nach dem Stromschlusse, und zwar bezieht sich jedesmal die obere Zahl auf die Temperatur zwischen e und b, die untere auf diejenige zwischen e und a. Endlich sind in der Kolonne unterMittel die Mitteltemperaturen aus den 6 bei einem Versuche beobachteten Temperaturen angeführt.

b lemperatar Temperatur vo naceh! u.

2 Pp d1 W vor nach 9 W vor arh 5 I 1 y X V qFd. S. d. S.

n 16,5 16,75 60 48, 225' 1 29 34, 3070464 166 4 460 4 300,336,16,5 16,15 16.6 19 33 ⁰6 1,5400,097 1,637 7 33,75 33,75 ll18s

5 5 5 5 7 61 40 225. 29 44 04453377534,25 50 31 023533753375 338 24 42 11140,0681 9. 43,5 43,5 61 58 75 30 21 15 dun sus 44,5 52 3 45 0,206,44,3 14 44,1 27 48essen er 61 54 22,5 30 1 30 csſes o 33 18 45 0.176,40 5 79,3 50,2 27 2 1571,0150051 1 66 61 45 24 33(0441 56,5 56,5 54 49 30 orsrdd3 55 56 25 16 30 1,159 0,039,1,198 22 61 27 22.5 29 33 45 0446,66 655 55 43 30 0,113,65,5 64,3 65,5 21 52 30 1,483 0,032 1,515 V 119,845 8525 61 23 15 ²⁰ 32 15 044785 85 55 22 30 0,11981,3 8525 829 16 27 22110,035 2246 V V

Die in der Tabelle enthaltenen Werte für den Widerstand der Thonzelle und für den Wider- stand der von ihr verdrängten Flüssigkeitsschicht sind in der Tafel, Fig. 2, graphisch dargestellt. Der Streckenzug I stellt die Abhängigkeit des Widerstandes der Thonzelle von der Temperatur dar. Die Temperaturen sind als Abscissen aufgetragen und zwar stellt jedes Millimeter 10 dar; die zu den Abscissen gehörigen Ordinaten vertreten die entsprechenden Widerstände und zwar bedeutet ein Millimeter /1% Ampère. Ganz ebenso bringt der Streckenzug La die Ab- hängigkeit des Widerstandes der von der Zelle verdrängten Flüssigkeit von der Temperatur zur Anschauung.